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赛马会管家婆:模擬電路設計系列講座十九:MOSFET失效機制

赛马资信香港赛马会 www.ttuut.icu OFweek 2019-05-20 12:46:08

[導讀] 靜電放電是指產品在制造、運輸與安裝過程中,如果處理不當,產品會受到靜電放電或者浪涌電壓的沖擊,從而造成產品的損傷或者破壞。

功率MOSFET的失效機制主要分為以下幾類:

ElectroStaticDischarge (ESD) - 靜電放電

Avalanche 擊穿 - 雪崩擊穿

超出SOA(Safe Of Area)or ASO(Area of Safe Operation)- 超出安全工作區

內部寄生二極管擊穿

一)靜電放電

靜電放電是指產品在制造、運輸與安裝過程中,如果處理不當,產品會受到靜電放電或者浪涌電壓的沖擊,從而造成產品的損傷或者破壞。

靜電放電對MOSFET的危害通常來自于放電電壓對于MOSFET驅動極的沖擊和破壞。驅動極如果遭到破壞,通?;岜硐治狹OSFET驅動極與源極短路,耐壓跌落或者漏電流增加等。

對于靜電放電通常有以下幾種應對措施。

二)Avalanche(雪崩)擊穿

1. Avalanche 測試線路

 

2. Avalanche 雪崩電流和能量

3. Avalanche 擊穿應對措施

 

三)超出SOA工作安全區

MOSFET的SOA(安全工作區)已在本公眾號“MOSFET應用參數理論詳解”一文中進行了詳細介紹,本篇不再贅述。

1. Power MOSFET 損耗計算

2. Power MOSFET損耗計算舉例

3. 超出SOA或者ASO工作區的應對措施

四)內部寄生二極管失效

1. Power MOSFET的內部結構和等效電路

2. 全橋線路舉例,二極管失效通常發生在內部二極管反向恢復時間內

3. 內部二極管擊穿應對措施

 

五)MOSFET擊穿后芯片不同表現

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[整理編輯:CK365測控網]
標簽:  電路[1]
 

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